【CNMO科技消息】近日,CNMO注意到,据韩联社报道,三星电子在近日于美国硅谷举办的“2024年三星代工论坛”上公布了其未来半导体技术战略,计划于2027年引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点,以加强跨越人工智能(AI)芯片研发、代工生产、组装全流程的“一站式”服务。

三星电子此次战略调整,旨在通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存(HBM)的集成AI解决方案,研制出高性能、低能耗的AI芯片产品。据三星电子介绍,这一战略的实施将使得从研发到生产的周期大幅缩短,与现有工艺相比,耗时可缩减约20%。

值得关注的是,三星电子计划在2纳米工艺中采用创新的背面供电网络(BSPDN)技术(制程节点SF2Z)。这一技术将芯片的供电网络转移至晶圆背面,与信号电路分离,旨在简化供电路径,降低供电电路对互联信号电路的干扰。此举预计将显著提升AI芯片的功率、性能和面积等关键参数,同时减少电压降,从而提升高性能计算设计的性能。

此外,三星电子还计划于2027年将光学元件技术运用于AI解决方案,为芯片带来低能耗和高速数据处理性能。而在2025年,三星电子就将在4纳米工艺中采用“光学收缩”技术(制程节点SF4U)进行量产,使得芯片尺寸更小、性能更佳。

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