三星、SK海力士和美光正在积极投资高带宽内存（HBM），而由于产能挤占效应，下半年的DRAM产品可能会面临短缺。根据集邦咨询的报告，三大DRAM供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。今年下半年将重点扩大产能，并预计到年底，1α nm及以上的工艺的晶圆投入量将占DRAM晶圆总投入量的约40%。

由于HBM盈利能力和不断增长的需求，厂商优先考虑生产HBM。预计今年市场主流将是HBM3e，出货量将集中在下半年。恰逢内存需求旺季，市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求也将增加。

然而，由于分配给HBM生产的晶圆比例较高，先进工艺产出受到限制。因此，下半年的产能分配将成为决定供应能否满足需求的关键因素。

三星计划现有设施将于2024年底全部满负荷运转，并将在明年竣工的新P4L工厂从1Y纳米过渡到1beta纳米及以上工艺。SK海力士计划明年扩大M16工厂的产能，并计划于2025年竣工的M15X工厂也将在明年年底开始量产。

各主要制造商都将投资于HBM4的开发，在产能规划中优先考虑HBM。因此，由于产能拥挤效应，DRAM供应可能会出现短缺。

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